中电网
中电网首页

产品索引  > 汽车电子 > 信息娱乐和仪表盘 > 音响系统和显示系统 > Voltage Regulation (Linear, Switching)  >  NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的NTMD6N03R2G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Voltage Regulation (Linear, Switching)/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：950pF @ 24V
  • 功率-最大值：1.29W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC N
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099