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NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的NTMD6N03R2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Voltage Regulation (Linear, Switching)/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：950pF @ 24V
  • 功率-最大值：1.29W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC N
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