NVA4153NT1G
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是安森美半导体公司的NVA4153NT1G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:*;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):20V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):915mA(Ta);
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Local networking interfaces/
- 主要规格参数:
-
- 包装:*
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):915mA(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):230 毫欧 @ 600mA,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1.82nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):110pF @ 16V
- 功率-最大值:300mW
- 安装类型:*
- 封装/外壳:*
- 供应商器件封装:*