Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 汽车电子 > 信息娱乐和仪表盘 > 音响系统和显示系统 > Memory > TC58BVG0S3HBAI4

综述介绍

TC58BVG0S3HBAI4

TC58BVG0S3HBAI4

发布时间：2015-08-18

简介：

本文是东芝半导体的TC58BVG0S3HBAI4的数据表，它是属于集成电路（IC）存储器。具体规格参数如下：包装：托盘；系列：Benand™；格式-存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM - NAND；存储容量：1G（128M x 8）；

厂商：东芝半导体
类别：汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Memory/
主要规格参数:
包装：托盘
系列：Benand™
格式-存储器：EEPROMs - 串行
存储器类型：EEPROM - NAND
存储容量：1G（128M x 8）
速度：25ns
接口：并联
电压-电源：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装/外壳：63-VFBGA
供应商器件封装：63-TFBGA（9x11）

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号