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TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

发布时间：2015-08-18
简介：

本文是东芝半导体的TC58NYG2S0HBAI6的数据表，它是属于集成电路（IC） 存储器。 具体规格参数如下：包装：托盘；格式-存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM - NAND；存储容量：4G（512M x 8）；速度：25ns；


  • 厂商：东芝半导体
  • 类别： 汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Memory/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：托盘
  • 系列：-
  • 格式-存储器：EEPROMs - 串行
  • 存储器类型：EEPROM - NAND
  • 存储容量：4G（512M x 8）
  • 速度：25ns
  • 接口：并联
  • 电压-电源：1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳：67-VFBGA
  • 供应商器件封装：67-VFBGA（6.5x8）
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