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综述介绍

TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

发布时间：2015-08-18

简介：

本文是东芝半导体的TH58BYG2S3HBAI6的数据表，它是属于集成电路（IC）存储器。具体规格参数如下：包装：托盘；系列：Benand™；格式-存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM - NAND；存储容量：4G（512M x 8）；

厂商：东芝半导体
类别：汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Memory/
主要规格参数:
包装：托盘
系列：Benand™
格式-存储器：EEPROMs - 串行
存储器类型：EEPROM - NAND
存储容量：4G（512M x 8）
速度：25ns
接口：并联
电压-电源：1.7 V ~ 1.95 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装/外壳：67-VFBGA
供应商器件封装：67-VFBGA（6.5x8）

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