Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 智能家居与智能楼宇 > 智能家电 > 家居网络 > PoE powered device (PoE-PD) > NDDP010N25AZT4H

综述介绍

NDDP010N25AZT4H

NDDP010N25AZT4H

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的NDDP010N25AZT4H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：250V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：智能家居与智能楼宇/智能家电/家居网络/PoE powered device (PoE-PD)/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：250V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：420 毫欧 @ 5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：980pF @ 20V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK/TP-F

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2025 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号