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综述介绍

NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NGTB50N60S1WG的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：100A；脉冲电流-集电极(Icm)：200A；

厂商：安森美半导体公司
类别：智能制造/自动化与控制系统/控制系统/DC-AC inverter/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：100A
脉冲电流-集电极(Icm)：200A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2V @ 15V，50A
功率-最大值：417W
开关能量：1.5mJ（开），460µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：220nC
25°C时Td（开/关）值：100ns/237ns
测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：94ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3

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