MRF6S9060NBR1
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是飞思卡尔半导体的MRF6S9060NBR1的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);晶体管类型:LDMOS;频率:880MHz;增益:21.4dB;电压-测试:28V;
- 厂商:飞思卡尔半导体
- 类别:
智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Switch detector/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- 晶体管类型:LDMOS
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 频率:880MHz
- 增益:21.4dB
- 频率-跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
- 电压-测试:28V
- 额定电流:10µA
- 功率-最大值:-
- 噪声系数:-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 电流-测试:450mA
- 功率-输出:14W
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 安装类型:-
- 电压-额定:68V
- 封装/外壳:TO-272BC
- 供应商器件封装:TO-272-2