IPD60R750E6
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPD60R750E6的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:CoolMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):600V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Power Management/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:CoolMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):600V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.7A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):750 毫欧 @ 2A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 170µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17.2nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):373pF @ 100V
- 功率-最大值:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:PG-TO252-3