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IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPD80R1K4CEBTMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：CoolMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：800V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Power Management/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：CoolMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：800V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.9A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.4 欧姆 @ 2.3A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 240µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：23nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：570pF @ 100V
  • 功率-最大值：63W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-4，DPak（3 引线 + 接片）
  • 供应商器件封装：TO-252-3
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