BSC046N02KS G
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSC046N02KS G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Power Management/
- 主要规格参数:
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- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):19A(Ta),80A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4.6 毫欧 @ 50A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 110µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):27.6nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):4100pF @ 10V
- 功率-最大值:48W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)