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IPU80R2K8CEBKMA1

IPU80R2K8CEBKMA1

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的IPU80R2K8CEBKMA1的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:CoolMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):800V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Power Management/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:CoolMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):800V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.9A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2.8 欧姆 @ 1.1A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V @ 120µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):290pF @ 100V
  • 功率-最大值:42W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商器件封装:PG-TO251-3
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