SPB02N60C3
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是英飞凌科技公司的SPB02N60C3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:CoolMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):650V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Power Management/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:CoolMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):650V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.8A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3 欧姆 @ 1.1A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V @ 80µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12.5nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):200pF @ 25V
- 功率-最大值:25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:PG-TO263-3