中电网首页

产品索引  > 智能制造 > 自动化与控制系统 > 控制系统 > Power Management  >  SPD04N60C3

SPD04N60C3

SPD04N60C3

发布时间:2015-08-23
简介:

本文是英飞凌科技公司的SPD04N60C3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:CoolMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):650V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Power Management/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:CoolMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):650V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.5A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):950 毫欧 @ 2.8A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.9V @ 200µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):490pF @ 25V
  • 功率-最大值:50W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
PDF 下 载
下载