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BSC072N03LD G

BSC072N03LD G

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSC072N03LD G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 智能制造/自动化与控制系统/控制系统/Power Management/
  • 主要规格参数:
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  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):11.5A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):7.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):3500pF @ 15V
  • 功率-最大值:57W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
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