HAT2131R-EL-E

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的HAT2131R-EL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：*；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：350V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：900mA（Ta）；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：智能制造/自动化与控制系统/人机界面/Power MOSFET/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：350V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：900mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 欧姆 @ 450mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：460pF @ 25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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