IPD60R2K0C6
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPD60R2K0C6的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:CoolMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):600V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能制造/自动化与控制系统/工业网络/AC/DC/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:CoolMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):600V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.4A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2 欧姆 @ 760mA,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 60µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6.7nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):140pF @ 100V
- 功率-最大值:22.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:PG-TO252-3