中电网
中电网首页

产品索引  > 晶体和振荡器 > 晶体  >  ST2012SB32768Z0HPWB4

ST2012SB32768Z0HPWB4

ST2012SB32768Z0HPWB4

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是商安施有限公司/京瓷株式会社的ST2012SB32768Z0HPWB4的数据表，它是属于晶体和振荡器 晶体。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：ST2012SB，Kyocera；类型：kHz 晶体（音叉）；频率：32.768kHz；频率稳定度：±200ppm；


  • 厂商：商安施有限公司/京瓷株式会社
  • 类别： 晶体和振荡器/晶体/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：ST2012SB，Kyocera
  • 类型：kHz 晶体（音叉）
  • 频率：32.768kHz
  • 频率稳定度：±200ppm
  • 频率容差：±20ppm
  • 负载电容：4pF
  • ESR（等效串联电阻）：75 千欧
  • 工作模式：基谐
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C
  • 等级：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：2-SMD，无引线（DFN，LCC）
  • 大小/尺寸：0.079\ 长 x 0.047\ 宽（2.00mm x 1.20mm）
  • 高度：0.024\（0.60mm）
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2025 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099