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NOSV108M002R0050

NOSV108M002R0050

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是商安施有限公司的NOSV108M002R0050的数据表，它是属于电容器 氧化铌电容器。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：OxiCap® NOS；电容：1000µF；容差：±20%；电压-额定：2.5V；


  • 厂商：商安施有限公司
  • 类别： 电容器/氧化铌电容器/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：OxiCap® NOS
  • 电容：1000µF
  • 容差：±20%
  • 电压-额定：2.5V
  • ESR（等效串联电阻）：50 毫欧
  • 电流-漏泄：50µA
  • 耗散因数：18%
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：2924（7361 公制）
  • 制造商尺寸代码：V
  • 高度-安装（最大值）：0.148（3.75mm）
  • 特性：低 ESR
  • 工作温度：-55°C ~ 125°C
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