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综述介绍

QEB373GR

QEB373GR

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是飞兆半导体公司的QEB373GR的数据表，它是属于光电元件红外，UV，可见光发射器。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；类型：IR；电流-DC正向（If）：50mA；不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）：16mWr @ 100mA；波长：875nm；

厂商：飞兆半导体公司
类别：光电元件/红外，UV，可见光发射器/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
类型：IR
电流-DC正向（If）：50mA
不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）：16mWr @ 100mA
波长：875nm
电压-正向（Vf）（典型值）：1.7V
视角：24°
朝向：顶视图
工作温度：-40°C ~ 100°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：2-SMD，鸥翼型

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