HIP6601BCBZ-T
发布时间:2015-08-16
简介:
本文是英特矽尔半导体有限公司的HIP6601BCBZ-T的数据表,它是属于集成电路(IC) PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;配置:高端和低端,同步;输入类型:PWM;电流-峰值:400mA;配置数:1;
- 厂商:英特矽尔半导体有限公司
- 类别:
集成电路(IC)/PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- 配置:高端和低端,同步
- 输入类型:PWM
- 延迟时间:-
- 电流-峰值:400mA
- 配置数:1
- 输出数:2
- 高压侧电压-最大值(自举):15V
- 电压-电源:10.8 V ~ 13.2 V
- 工作温度:0°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC