NIS6111QPT1
发布时间:2015-08-16
简介:
本文是安森美半导体公司的NIS6111QPT1的数据表,它是属于集成电路(IC) PMIC - OR 控制器,理想二极管。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:BERS™;类型:N+1 ORing 控制器;FET类型:N 沟道;比率-输入:输出:N:1;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
集成电路(IC)/PMIC - OR 控制器,理想二极管/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:BERS™
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET类型:N 沟道
- 比率-输入:输出:N:1
- 内部开关:是
- 延迟时间-开启:45ns
- 延迟时间-关闭:35ns
- 电流-输出(最大值):30A
- 电流-电源:1.3mA
- 电压-电源:4.8 V ~ 5.2 V
- 应用:回扫,正向转换器
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:32-QFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:32-PLLP(9x9)