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综述介绍

NIS6111QPT1G

NIS6111QPT1G

发布时间：2015-08-16

简介：

本文是安森美半导体公司的NIS6111QPT1G的数据表，它是属于集成电路（IC） PMIC - OR 控制器，理想二极管。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：BERS™；类型：N+1 ORing 控制器；FET类型：N 沟道；比率-输入:输出：N：1；

厂商：安森美半导体公司
类别：集成电路（IC）/PMIC - OR 控制器，理想二极管/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：BERS™
类型：N+1 ORing 控制器
FET类型：N 沟道
比率-输入:输出：N：1
内部开关：是
延迟时间-开启：45ns
延迟时间-关闭：35ns
电流-输出（最大值）：30A
电流-电源：1.3mA
电压-电源：4.8 V ~ 5.2 V
应用：回扫，正向转换器
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：32-QFN 裸露焊盘
供应商器件封装：32-PLLP（9x9）

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