Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 集成电路（IC） > PMIC - 全，半桥驱动器 > SIC778ACD-T1-GE3

综述介绍

SIC778ACD-T1-GE3

SIC778ACD-T1-GE3

发布时间：2015-08-16

简介：

本文是威世硅尼克斯的SIC778ACD-T1-GE3的数据表，它是属于集成电路（IC） PMIC - 全，半桥驱动器。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；输出配置：半桥；应用：同步降压转换器；接口：PWM；负载类型：电感；

厂商：威世硅尼克斯
类别：集成电路（IC）/PMIC - 全，半桥驱动器/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
输出配置：半桥
应用：同步降压转换器
接口：PWM
负载类型：电感
技术：DrMOS
导通电阻（典型值）：-
电流-输出/通道：40A
电流-峰值输出：-
电压-电源：4.5 V ~ 5.5 V
电压-负载：4.5 V ~ 18 V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
故障保护：超温，击穿，UVLO
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® MLP66-40
供应商器件封装：PowerPAK® MLP66-40

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号