Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 集成电路（IC） > 存储器 > HYB18T1G800BF-3S

综述介绍

HYB18T1G800BF-3S

HYB18T1G800BF-3S

发布时间：2015-08-18

简介：

本文是奇梦达公司的HYB18T1G800BF-3S的数据表，它是属于集成电路（IC）存储器。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）；格式-存储器：RAM；存储器类型：DDR2 SDRAM；存储容量：1G（128M x 8）；速度：333MHz；

厂商：奇梦达公司
类别：集成电路（IC）/存储器/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）
系列：-
格式-存储器：RAM
存储器类型：DDR2 SDRAM
存储容量：1G（128M x 8）
速度：333MHz
接口：并联
电压-电源：1.7 V ~ 1.9 V
工作温度：0°C ~ 95°C
封装/外壳：68-TFBGA
供应商器件封装：68-TFBGA（17x10）

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2026 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号