Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 集成电路（IC） > 存储器 > R1LV0108ESN-5SI#B0

综述介绍

R1LV0108ESN-5SI#B0

R1LV0108ESN-5SI#B0

发布时间：2015-08-18

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的R1LV0108ESN-5SI#B0的数据表，它是属于集成电路（IC）存储器。具体规格参数如下：包装：管件可替代的包装；格式-存储器：RAM；存储器类型：SRAM；存储容量：1M（128K x 8）；速度：55ns；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：集成电路（IC）/存储器/
主要规格参数:
包装：管件可替代的包装
系列：-
格式-存储器：RAM
存储器类型：SRAM
存储容量：1M（128K x 8）
速度：55ns
接口：并联
电压-电源：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装/外壳：32-SOIC（0.450，11.40mm 宽）
供应商器件封装：32-SOP

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号