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综述介绍

MB85R256FPF-G-BNDE1

MB85R256FPF-G-BNDE1

发布时间：2015-08-18

简介：

本文是富士通半导体美国公司的MB85R256FPF-G-BNDE1的数据表，它是属于集成电路（IC）存储器。具体规格参数如下：包装：托盘；格式-存储器：RAM；存储器类型：FRAM（Ferroelectric RAM）；存储容量：256K（32K x 8）；速度：150ns；

厂商：富士通半导体美国公司
类别：集成电路（IC）/存储器/
主要规格参数:
包装：托盘
系列：-
格式-存储器：RAM
存储器类型：FRAM（Ferroelectric RAM）
存储容量：256K（32K x 8）
速度：150ns
接口：并联
电压-电源：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装/外壳：28-SOIC（0.342，8.69mm 宽）
供应商器件封装：28-SOP

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