DN3535N8-G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美国微芯科技公司的DN3535N8-G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：耗尽模式；漏源极电压（Vdss）：350V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：230mA（Tj）；

厂商：美国微芯科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：耗尽模式
漏源极电压（Vdss）：350V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：230mA（Tj）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：10 欧姆 @ 150mA，0V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：360pF @ 25V
功率-最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-243AA
供应商器件封装：TO-243AA（SOT-89）

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