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C2M1000170D

C2M1000170D

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是科锐公司的C2M1000170D的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：Z-FET™；FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1700V（1.7kV）；


  • 厂商：科锐公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：Z-FET™
  • FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：1700V（1.7kV）
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.9A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.1 欧姆 @ 2A，20V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 100µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 20V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：191pF @ 1000V
  • 功率-最大值：69W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商器件封装：TO-247-3
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