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综述介绍

C2M0160120D

C2M0160120D

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是科锐公司的C2M0160120D的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；系列：Z-FET™；FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；

厂商：科锐公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：管件
系列：Z-FET™
FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：17.7A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：196 毫欧 @ 10A，20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 500µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：32.6nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：527pF @ 800V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3

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