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FDV302P

FDV302P

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的FDV302P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：25V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120mA（Ta）；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：25V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：10 欧姆 @ 200mA，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.31nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：11pF @ 10V
  • 功率-最大值：350mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23
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