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综述介绍

CSD17313Q2

CSD17313Q2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是德州仪器的CSD17313Q2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：NexFET™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：德州仪器
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：NexFET™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：30 毫欧 @ 4A，8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：2.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：340pF @ 15V
功率-最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：6-SON（2x2）

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