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NDT3055L

NDT3055L

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的NDT3055L的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Ta）；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：60V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：100 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：345pF @ 25V
  • 功率-最大值：1.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商器件封装：SOT-223-3
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