2SK4177-DL-1E

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的2SK4177-DL-1E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：1500V（1.5kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：1500V（1.5kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：13 欧姆 @ 1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：37.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：380pF @ 30V
功率-最大值：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263-2

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