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FCB110N65F

FCB110N65F

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是飞兆半导体公司的FCB110N65F的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；系列：FRFET®，SuperFET® II；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：650V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：*可替代的包装
  • 系列：FRFET®，SuperFET® II
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：650V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：35A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：110 毫欧 @ 17.5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 3.5mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：145nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：4895pF @ 100V
  • 功率-最大值：357W
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：*
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