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综述介绍

IPW60R041P6FKSA1

IPW60R041P6FKSA1

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是英飞凌科技公司的IPW60R041P6FKSA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：77.5A（Tc）；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：77.5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：41 毫欧 @ 35.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 2.96mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：170nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：8180pF @ 100V
功率-最大值：481W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247

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