NTMS5835NLR2G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的NTMS5835NLR2G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.2A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.2A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：10 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2115pF @ 20V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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