RFD16N05LSM9A

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的RFD16N05LSM9A的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：50V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：16A（Tc）；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：50V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：16A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：47 毫欧 @ 16A，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：80nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：60W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252AA

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