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综述介绍

LND150N3-G

LND150N3-G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是美国微芯科技公司的LND150N3-G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：散装可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：耗尽模式；漏源极电压（Vdss）：500V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30mA（Tj）；

厂商：美国微芯科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：散装可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：耗尽模式
漏源极电压（Vdss）：500V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30mA（Tj）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：10pF @ 25V
功率-最大值：740mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3

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