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BSZ0904NSI

BSZ0904NSI

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSZ0904NSI的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
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  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A(Ta),18A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V
  • 功率-最大值:37W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
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