MTM231232LBF

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的MTM231232LBF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Ta）；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：55 毫欧 @ 1A，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1000pF @ 10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

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