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综述介绍

FDMC2523P

FDMC2523P

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的FDMC2523P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：QFET®；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：150V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：QFET®
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：150V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：270pF @ 25V
功率-最大值：42W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-Power33（3x3）

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