DMN1019USN-13

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的DMN1019USN-13的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：12V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.3A（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.3A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：50.6nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2426pF @ 10V
功率-最大值：680mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59

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