Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FQN1N60CTA

综述介绍

FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的FQN1N60CTA的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带盒（TB）可替代的包装；系列：QFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带盒（TB）可替代的包装
系列：QFET®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：300mA（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：11.5 欧姆 @ 150mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：170pF @ 25V
功率-最大值：1W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号