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BSB056N10NN3 G

BSB056N10NN3 G

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是英飞凌科技公司的BSB056N10NN3 G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Ta），83A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.6 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 100µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：74nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：5500pF @ 50V
  • 功率-最大值：78W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-WDSON
  • 供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M™
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