BSS127SSN-7

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的BSS127SSN-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50mA（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：160 欧姆 @ 16mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.08nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：21.8pF @ 25V
功率-最大值：610mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59

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