SSM5G10TU(TE85L,F)

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是东芝半导体的SSM5G10TU(TE85L,F)的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：二极管（隔离式）；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A（Ta）；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：213 毫欧 @ 1A，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.4nC @ 4V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：250pF @ 10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-SMD（5引线），扁引线
供应商器件封装：UFV

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