FDB7030BL
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDB7030BL的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:PowerTrench®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 单/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:PowerTrench®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):60A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9 毫欧 @ 30A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):24nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1760pF @ 15V
- 功率-最大值:60W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263(D2Pak)