RW1E025RPT2CR

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是罗姆半导体集团的RW1E025RPT2CR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A（Ta）；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：75 毫欧 @ 2.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.2nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：480pF @ 10V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：6-WEMT

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